| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 19.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 130 W |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 55.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET? II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
n沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ヘ - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
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