类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 5.20 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.8 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 50 W |
阈值电压 | 2 V |
输入电容 | 360pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
上升时间 | 31 ns |
输入电容值(Ciss) | 360pF @25V(Vds) |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 50000 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tube |
长度 | 10.51 mm |
高度 | 15.49 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.51 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 2.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = 5.2A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRL620SPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRL620PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件