| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PQFN-8 |
| 漏源极电阻 | 9.9 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.6 W |
| 零部件系列 | IRLH5030 |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 输入电容 | 5185pF @50V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100 A |
| 热阻 | 35℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 5185pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.6 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.15 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
8 页 / 0.24 MByte
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLH5030TRPBF 场效应管, MOSFET, N通道
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INFINEON IRLH5030TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V
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