类型 | 描述 |
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引脚数 | 6 Pin |
封装 | PowerVDFN-6 |
漏源极电阻 | 25 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.1 W |
零部件系列 | IRLHS2242 |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
输入电容值(Ciss) | 877pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.1 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLHS2242TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mV
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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