类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-261-4 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.8 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
输入电容值(Ciss) | 380pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLL024ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新
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