| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.048 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.8 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 380pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 5A（Tc） 1W（Ta） SOT-223
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL024ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新
International Rectifier（国际整流器）
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