| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -620 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 0.9 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.54 W |
| 零部件系列 | IRLML6302 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -780 mA |
| 热阻 | 230℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 97pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 540 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
Infineon（英飞凌）
P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
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