| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 69 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 107 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 55A |
| 上升时间 | 210 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1600pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 54 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 107W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.28 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.47 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.22 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.019ohm ，ID = 46A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3103TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
