| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 16 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140 W |
| 零部件系列 | IRLR3110Z |
| 输入电容 | 3980pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 42.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 3980pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 140 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V
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Infineon（英飞凌）
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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场效应管(MOSFET) IRLR3110ZTRRPBF DPAK
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