| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0075 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 75 W |
| 阈值电压 | 20 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 65A |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1030pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 75W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRLR7821TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR7821PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR7821TRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 65A, 30V, 75W
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