类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 10 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 75 W |
输入电容 | 1030pF @15V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 65.0 A |
输入电容值(Ciss) | 1030pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 75 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR7821TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR7821PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR7821TRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 65A, 30V, 75W
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