| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 63 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0042 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 63 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 81A |
| 上升时间 | 46 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1470pF @13V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 63 W |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 63W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.27 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.47 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.56 MByte
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
