| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 功耗 | 625 mW |
| 零部件系列 | IRS2117 |
| 上升时间 | 130ns (Max) |
| 下降时间 | 65ns (Max) |
| 下降时间(Max) | 65 ns |
| 上升时间(Max) | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
4 页 / 0.19 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2117SPBF 高压侧驱动器, IGBT/MOSFET, 10V-20V电源, 600mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2117PBF 高压侧驱动器, IGBT/MOSFET, 10V-20V电源, 600mA输出, 105ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21171SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
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高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
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