| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PDIP-8 |
| 额定功率 | 1 W |
| 上升/下降时间 | 40ns, 20ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 1.9 A |
| 功耗 | 1 W |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 下降时间(Max) | 35 ns |
| 上升时间(Max) | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.92 mm |
| 宽度 | 7.11 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧和低侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2181STRPBF 芯片, 驱动器, 高/低压侧, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21814SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-14
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2181SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21814PBF. 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-14
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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