| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 1.90 A |
| 功耗 | 0.625 W |
| 零部件系列 | IRS2181 |
| 上升时间 | 60ns (Max) |
| 下降时间 | 35ns (Max) |
| 下降时间(Max) | 35 ns |
| 上升时间(Max) | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
International Rectifier（国际整流器）
23 页 / 1.27 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2181STRPBF 芯片, 驱动器, 高/低压侧, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21814SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-14
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2181SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21814PBF. 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-14
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
