类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
上升/下降时间 | 40ns, 20ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电流 | 1.9 A |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 625 mW |
静态电流 | 1.6 mA |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 20 ns |
下降时间(Max) | 35 ns |
上升时间(Max) | 60 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2184SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21844SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21844PBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2184PBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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