| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 32 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | PLCC-44 |
| 额定功率 | 2 W |
| 上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 200.350 mA |
| 通道数 | 6 Channel |
| 功耗 | 2000 mW |
| 下降时间(Max) | 75 ns |
| 上升时间(Max) | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS23364DJPBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2336DSPBF 双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
Infineon（英飞凌）
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V至20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, MLPQ-34
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
门驱动器 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot
Infineon（英飞凌）
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V至20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, WSOIC-28
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