| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 44 Pin |
| 电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
| 封装 | TSOP-44 |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 55.0 ns |
| 内存容量 | 4000000 B |
| 存取时间(Max) | 55 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.5V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
Integrated Silicon Solution(ISSI)
14 页 / 0.41 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
2 页 / 0.04 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
Integrated Silicon Solution(ISSI)
4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
