| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
| 封装 | TFBGA-48 |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 55 ns |
| 存取时间(Max) | 55 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.5V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS62WV51216BLL-55TLI 存储芯片, SRAM, 512K X 16, 3V, 55NS, 44TSOP2
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静态 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
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静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns 2.5v/3.6v
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