| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 21.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 150 W |
| 上升时间 | 2.10 µs |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 430 V |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040D3ST 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.9 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040S3ST 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040P3 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor ISL9V3040D3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor ISL9V3040S3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor ISL9V3040P3 N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild（飞兆/仙童）
EcoSPARKTM 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
Fairchild（飞兆/仙童）
EcoSPARKTM 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ON Semiconductor（安森美）
ISL9V3040D3STV: IGBT，N 沟道，点火，DPAK，17A，1.58V，300mJ EcoSPARK I
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