Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXBT42N170 Datasheet 文档
IXBT42N170
来自 AiPCBA

IXBT42N170 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-268-3
描述:IXBT 系列 1700 Vce 75 A 45 ns t(on) 双极性 MOS 晶体管 - TO-268
PDF文件:IXBT42N170 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXBT42N170 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXBT42N170 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
功耗360000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
反向恢复时间1.32 µs
额定功率(Max)360 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360000 mW
查看数据手册 >

IXBT42N170 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXBT42N170 数据手册

IXBT42N170 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte

IXBT42 数据手册

IXBT42N170 数据手册
IXYS Semiconductor
IXBT 系列 1700 Vce 75 A 45 ns t(on) 双极性 MOS 晶体管 - TO-268
IXBT42N170A 数据手册
IXYS Semiconductor
IXBT42N300HV 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet