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IXBP5N160G 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXBP5N160G 数据手册
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IXBP5N160G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
68000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1600 V
额定功率(Max)
68 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
68000 mW
IXBP5N160G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
IXBP5N160G 符合标准
IXBP5N160G 概述
IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W 通孔 TO-220-3
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