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IXFK55N50F
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IXFK55N50F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
封装:TO-264-3
PDF文件:IXFK55N50F 数据手册 (4 页)
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IXFK55N50F 数据手册 (4 页)
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IXFK55N50F 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻85 mΩ
功耗560 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)6700pF @25V(Vds)
下降时间9.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)560W (Tc)
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IXFK55N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度19.96 mm
宽度5.13 mm
高度26.16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK55N50F 数据手册

IXFK55N50F 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.56 MByte
IXFK55N50F 开发手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.09 MByte

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