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IXDI630MYI
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IXDI630MYI 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:FET驱动器
封装:TO-263-5
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A
PDF文件:IXDI630MYI 数据手册 (12 页)封装尺寸在11 页
原理图在6 页
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
IXDI630MYI 数据手册 (12 页)
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IXDI630MYI 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TO-263-5
上升/下降时间11 ns
输出接口数1 Output
输出电压9 V
输出电流30 A
上升时间20 ns
下降时间20 ns
下降时间(Max)18 ns
上升时间(Max)20 ns
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)40 ℃
电源电压9V ~ 35V
电源电压(Max)35 V
电源电压(Min)9 V
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IXDI630MYI 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXDI630MYI 数据手册

IXDI630MYI 数据手册
IXYS Semiconductor
12 页 / 0.25 MByte
IXDI630MYI 其他数据使用手册
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12 页 / 1.52 MByte

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