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IXTA32P20T
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IXTA32P20T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:P沟道 200V 32A
PDF文件:IXTA32P20T 数据手册 (7 页)
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焊盘图
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IXTA32P20T 数据手册 (7 页)
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IXTA32P20T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性P-CH
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)14500pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTA32P20T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA32P20T 数据手册

IXTA32P20T 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.24 MByte
IXTA32P20T 其他数据使用手册
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