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IXTA3N120TRL
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IXTA3N120TRL 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IXTA3N120TRL 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTA3N120TRL 数据手册 (5 页)
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IXTA3N120TRL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗200W (Tc)
输入电容1.35 nF
栅电荷42.0 nC
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)200 W
耗散功率(Max)200W (Tc)
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IXTA3N120TRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA3N120TRL 数据手册

IXTA3N120TRL 数据手册
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