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IXTA3N50P
来自 AiPCBA

IXTA3N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IXTA3N50P 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTA3N50P 数据手册 (6 页)
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IXTA3N50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流3.00 A
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻2 Ω
功耗70 W
阈值电压5.5 V
输入电容409 pF
栅电荷9.30 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)409pF @25V(Vds)
额定功率(Max)70 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)70W (Tc)
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IXTA3N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度9.65 mm
宽度10.41 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTA3N50P 数据手册

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