Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFA12N50P Datasheet 文档
IXFA12N50P
来自 AiPCBA

IXFA12N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道 500V 12A
PDF文件:IXFA12N50P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFA12N50P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFA12N50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流12.0 A
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻500 mΩ
极性N-Channel
功耗200 W
阈值电压5.5 V
输入电容1.69 nF
栅电荷29.0 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)1830pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)200W (Tc)
查看数据手册 >

IXFA12N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFA12N50P 数据手册

IXFA12N50P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.14 MByte
IXFA12N50P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte

IXFA12N50 数据手册

IXFA12N50P 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 500V 12A
IXFA12N50PTRL 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet