IXFB100N50Q3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-264-3
描述:	N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFB100N50Q3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-264-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.049 Ω
极性	N-Channel
功耗	1.56 kW
阈值电压	6.5 V
漏源极电压(Vds)	500 V
连续漏极电流(Ids)	100A
上升时间	20 ns
输入电容值(Ciss)	13800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	1560 W
下降时间	15 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1560W (Tc)

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IXFB100N50Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	20.29 mm
宽度	5.31 mm
高度	26.59 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFB100N50Q3 符合标准

IXFB100N50Q3 概述

IXFB100N50Q3 数据手册

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IXFB100N50Q3 其他数据使用手册

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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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