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IXFB210N30P3
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IXFB210N30P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB210N30P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
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IXFB210N30P3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0145 Ω
极性N-Channel
功耗1.89 kW
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)16200pF @25V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1890W (Tc)
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IXFB210N30P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度20.29 mm
宽度5.31 mm
高度26.59 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFB210N30P3 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB210N30P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
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