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IXFB70N60Q2
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IXFB70N60Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFB70N60Q2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻80 mΩ
功耗890 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)7200pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)890W (Tc)
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IXFB70N60Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度20.29 mm
宽度5.31 mm
高度26.59 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFB70N60Q2 数据手册

IXFB70N60Q2 数据手册
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IXFB70N60 数据手册

IXFB70N60Q2 数据手册
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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