| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 最小电流放大倍数 | 25 |
| 测试频率 | 800 MHz |
| 直流电流增益(hFE) | 90 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 2.8GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 3 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS It is intended for RF applications such as oscillators in TV tuners. 描述与应用| NPN3 GHz的宽带晶体管 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 其目的是为射频应用，如电视调谐器振荡器。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP BFS17 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
BFS17 NPN三极管 25V 50mA 1GHz 20~150 SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 GMA 混频器和TV调谐器
Micro Commercial Components（美微科）
Siemens Semiconductor（西门子）
Vishay Semiconductor（威世）
硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor
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