Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFH120N25T Datasheet 文档
IXFH120N25T
来自 AiPCBA

IXFH120N25T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFH120N25T 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFH120N25T 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFH120N25T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻23 mΩ
极性N-CH
功耗890 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
连续漏极电流(Ids)120A
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)11300pF @25V(Vds)
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)890W (Tc)
查看数据手册 >

IXFH120N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFH120N25T 数据手册

IXFH120N25T 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.17 MByte
IXFH120N25T 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
10 页 / 0.54 MByte

IXFH120N25 数据手册

IXFH120N25T 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet