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STP50NE10L
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STP50NE10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
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STP50NE10L 数据手册 (8 页)
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STP50NE10L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
漏源极电阻20.0 mΩ
极性N-Channel
功耗150 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间105 ns
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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STP50NE10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
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STP50NE10L 数据手册

STP50NE10L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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