| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 500W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 1200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3400pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.08 MByte
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.08 MByte
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS RF IXFH12N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH120N15P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100Q 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
