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IXFH12N50F
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IXFH12N50F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS RF  IXFH12N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
PDF文件:IXFH12N50F 数据手册 (2 页)
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焊盘图
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IXFH12N50F 数据手册 (2 页)
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IXFH12N50F 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻400 mΩ
极性N-Channel
功耗180 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1870pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)180W (Tc)
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IXFH12N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH12N50F 数据手册

IXFH12N50F 数据手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.1 MByte
IXFH12N50F 其他数据使用手册
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IXFH12N50 数据手册

IXFH12N50F 数据手册
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IXYS RF  IXFH12N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
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