| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 208 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 60 ns |
| 额定功率(Max) | 208 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 208000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.57 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.44 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte
Intersil（英特矽尔）
63A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Harting Technology Group（哈丁电子）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
HGTG30N60C3D 系列 600 V 63 A 法兰安装 UFS N 沟道 IGBT-TO-247
Intersil（英特矽尔）
63A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
