类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 270 mA |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 625 mW |
阈值电压 | 2.4 V |
输入电容 | 35.0 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 270 mA |
上升时间 | 7.00 ns |
输入电容值(Ciss) | 35pF @18V(Vds) |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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ZVN3306A 系列 60 V 5 Ohm N-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
Diodes(美台)
DIODES INC. ZVN3306F 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3306FTA N沟道MOSFET 60V 150mA/0.15A SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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