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IXFH320N10T2
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IXFH320N10T2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 100V 320A
PDF文件:IXFH320N10T2 数据手册 (6 页)
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IXFH320N10T2 数据手册 (6 页)
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IXFH320N10T2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻3.5 mΩ
极性N-CH
功耗1000 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)320A
上升时间46 ns
输入电容值(Ciss)26000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1000 W
下降时间177 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1000W (Tc)
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IXFH320N10T2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFH320N10T2 数据手册

IXFH320N10T2 数据手册
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