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IXFR140N30P
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IXFR140N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR140N30P  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXFR140N30P 数据手册 (5 页)
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IXFR140N30P 数据手册 (5 页)
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IXFR140N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.026 Ω
极性N-Channel
功耗360 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)82.0 A
隔离电压2.50 kV
输入电容值(Ciss)14800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFR140N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFR140N30P 数据手册

IXFR140N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte
IXFR140N30P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte
IXFR140N30P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXFR140N30 数据手册

IXFR140N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR140N30P  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
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