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IXFH36N60P
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IXFH36N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH36N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
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IXFH36N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流36.0 A
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.19 Ω
极性N-Channel
功耗650 W
阈值电压5 V
输入电容5.80 nF
栅电荷102 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)36.0 A
上升时间25 ns
反向恢复时间200 ns
输入电容值(Ciss)5800pF @25V(Vds)
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)650W (Tc)
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IXFH36N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH36N60P 数据手册

IXFH36N60P 数据手册
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