| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0031 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 95 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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