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IXFH60N25Q
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IXFH60N25Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFH60N25Q 数据手册 (2 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFH60N25Q 数据手册 (2 页)
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IXFH60N25Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗360W (Tc)
漏源极电压(Vds)250 V
上升时间60 ns
输入电容值(Ciss)5100pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360W (Tc)
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IXFH60N25Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Last Time Buy
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH60N25Q 数据手册

IXFH60N25Q 数据手册
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