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IXFH69N30P
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IXFH69N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFH69N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗500W (Tc)
漏源极电压(Vds)300 V
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)4960pF @25V(Vds)
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXFH69N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH69N30P 数据手册

IXFH69N30P 数据手册
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IXFH69N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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