| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.266 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.95A |
| 上升时间 | 3.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 63pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 1.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
Infineon（英飞凌）
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场效应管(MOSFET) BSD235N H6327 SOT-363
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20V,350mΩ,0.95A,双N沟道小信号MOSFET
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XTSA1, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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