| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-Clip-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0025 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.2 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 7.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5070pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.2 W |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 2.5mΩ，60V SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 逻辑电平
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 直流 - 直流转换
● 次级侧同步整流器
● 隔离式转换器主级侧开关
● 电机控制
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
TI（德州仪器）
60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET
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