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NDPL180N10BG
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NDPL180N10BG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NDPL180N10BG  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V
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NDPL180N10BG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0025 Ω
极性N-Channel
功耗200 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间320 ns
输入电容值(Ciss)6950pF @50V(Vds)
下降时间130 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 200W (Tc)
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NDPL180N10BG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.5 mm
高度15.7 mm
工作温度175℃ (TJ)
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NDPL180N10BG 数据手册

NDPL180N10BG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.65 MByte
NDPL180N10BG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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NDPL180N10BG 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.16 MByte

NDPL180N10 数据手册

NDPL180N10BG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NDPL180N10BG  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V
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