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IXFK90N20
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IXFK90N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK90N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IXFK90N20 数据手册 (4 页)
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IXFK90N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流90.0 A
封装TO-264-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.023 Ω
极性N-Channel
功耗500 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)90.0 A
上升时间80 ns
输入电容值(Ciss)9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXFK90N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度19.96 mm
宽度5.13 mm
高度26.16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK90N20 数据手册

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4 页 / 0.11 MByte
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