STP35N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STP35N65M5 数据手册 (22 页)

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STP35N65M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
漏源极电阻	0.085 Ω
极性	N-Channel
功耗	160 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	650 V
连续漏极电流(Ids)	27A
上升时间	12 ns
输入电容值(Ciss)	3750pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	160 W
下降时间	16 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	160W (Tc)

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STP35N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	15.75 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STP35N65M5 符合标准

STP35N65M5 海关信息

STP35N65M5 概述

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STP35N65M5 产品修订记录

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STP35N65 数据手册

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N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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