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IXFN180N15P
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IXFN180N15P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN180N15P 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.011 Ω
极性N-Channel
功耗680 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)180 A
上升时间32 ns
反向恢复时间200 ns
输入电容值(Ciss)7000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)680 W
下降时间36 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)680000 mW
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IXFN180N15P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN180N15P 数据手册

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IXFN180N15P 数据手册
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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